Conventional DRAM (Page Mode DRAM) – "обычная" DRAM
Разобравшись с устройством и работой ядра памяти, перейдем к рассмотрению ее интерфейса. Физически микросхема памяти (не путать с модулями памяти, – о них речь еще впереди) представляет собой прямоугольный кусок керамики (или пластика) "ощетинившийся" с двух (реже – с четырех) сторон множеством ножек. Что это за ножки?
В первую очередь выделим среди них линии адреса
и линии данных. Линии адреса, как и следует из их названия, служат для выбора конкретной ячейки памяти, а линии данных – для чтения и для записи ее содержимого. Необходимый режим работы определяется состоянием специального вывода Write Enable (Разрешение Записи).
Низкий уровень сигнала WE готовит микросхему к считыванию состояния линий данных и записи полученной информации в соответствующую ячейку, а высокий, наоборот, заставляет считывать содержимое ячейки и "выплевывать" его в линию данных.
Такой трюк значительно сокращает количество выводов микросхемы, что в свою очередь уменьшает ее габариты. А, чем меньше габариты, тем выше предельно допустимая тактовая частота. Почему? О, тут замешен целый ряд физических явлений и эффектов. Во-первых, в силу ограниченной скорости распространения электрических сигналов, длины проводников, подведенных к различным ножкам микросхемы, должны не сильно отличаться друг от друга, иначе сигнал от одного вывода будет опережать сигнал от другого. Во-вторых, эти самые длины не должны быть очень велики – в противном случае задержка распространения сигнала "съест" все быстродействие. В-третьих, любой проводник действует как приемная и как передающая антенна, причем это воздействие резко усиливается с ростом тактовой частоты. Паразитному антенному эффекту можно противостоять множеством способов (например, путем перекашивания сигналов в соседних разрядах), но самой радикальной мерой было и до сих пор остается сокращение длин и количества проводников. Наконец, в-четвертых, всякий проводник обладает электрической емкостью. А емкость и скорость передачи данных – несовместимы! Вот только один пример: "…первый трансатлантический кабель для телеграфа был успешно проложен в 1858 году,… когда напряжение прикладывалось к одному концу кабеля, оно не появлялось немедленно на другом конце и вместо скачкообразного нарастания достигало стабильного значения после некоторого периода времени.
Когда снимали напряжение, напряжение приемного конца не падало резко, а медленно снижалось. Кабель вел себя как губка, накапливая электричество. Это свойство мы теперь называем емкостью".
Таким образом, совмещение выводов микросхемы увеличивает скорость обмена с памятью, но не позволяет осуществлять чтение и запись одновременно. (Забегая вперед, отметим, что, размещенные внутри кристалла процессора микросхемы кэш-памяти, благодаря своим микроскопическим размерам на количество ножек не скупятся и беспрепятственно считывают ячейку во время записи другой).
Столбцы
и строки матрицы памяти тем же самым способом совмещаются в единых адресных линиях. В случае квадратной матрицы количество адресных линий сокращается вдвое, но и выбор конкретной ячейки памяти отнимает вдвое больше тактов, ведь номера столбца и строки приходится передавать последовательно. Причем, возникает неоднозначность, что именно в данный момент находится на адресной линии: номер строки или номер столбца? А, быть может, и вовсе не находится ничего? Решение этой проблемы потребовало двух дополнительных выводов, сигнализирующих о наличии столбца или строки на адресных линиях и окрещенных RAS (от row address strobe – строб адреса строки) и CAS (от column address strobe – строб адреса столбца) соответственно. В спокойном состоянии на обоих выводах поддерживается высокий уровень сигнала, что говорит микросхеме: никакой информации на адресных линиях нет и никаких действий предпринимать не требуется.
Но вот программист хочет прочесть содержимое некоторой ячейки памяти. Контроллер преобразует физический адрес в пару чисел – номер строки и номер столбца, а затем посылает первый из них на адресные линии. Дождавшись, когда сигнал стабилизируется, контроллер сбрасывает сигнал RAS в низкий уровень, сообщая микросхеме памяти о наличии информации на линии. Микросхема считывает этот адрес и подает на соответствующую строку матрицы электрический сигнал. Все транзисторы, подключенные к этой строке, открываются и бурный поток электронов, срываясь с насиженных обкладок конденсатора, устремляется на входы чувствительного усилителя.
Чувствительный усилитель декодирует всю строку, преобразуя ее в последовательность нулей и единиц, и сохраняет полученную информацию в специальном буфере. Все это (в зависимости от конструктивных особенностей и качества изготовления микросхемы) занимает от двадцати до сотни наносекунд, в течение которых контроллер памяти выдерживает терпеливую паузу. Наконец, когда микросхема завершает чтение строки и вновь готова к приему информации, контроллер подает на адресные линии номер колонки и, дав сигналу стабилизироваться, сбрасывает CAS в низкое состояние. "Ага!", говорит микросхема и преобразует номер колонки в смещение ячейки внутри буфера. Остается прочесть ее содержимое и выдать его на линии данных. Это занимает еще какое-то время, в течение которого контроллер ждет запрошенную информацию. На финальной стадии цикла обмена контроллер считывает состояние линий данных, дезактивирует сигналы RAS и CAS, устанавливая их в высокое состояние, а микросхема берет определенный тайм-аут на перезарядку внутренних цепей и восстановительную перезапись строки (если, конечно, восстановительная перезапись выполняется самой микросхемой).
Задержка между подачей номера строки и номера столбца на техническом жаргоне называется "RAS to CAS delay" (на сухом официальном языке – tRCD). Задержка между подачей номера столбца и получением содержимого ячейки на выходе – "CAS delay" (или tCAC), а задержка между чтением последней ячейки и подачей номера новой строки – "RAS precharge" (tRP). Здесь и ниже будут использоваться исключительно жаргонизмы – они более наглядны и к тому же созвучны соответствующим настойкам BIOS, что упрощает восприятие материала.
Рисунок 5 0х12 Схематическое изображение модуля оперативной памяти (1); микросхемы памяти (2); матрицы (3) и отдельной ячейки памяти (4)
Рисунок 6 scm.dram Устройство ячейки современной микросхемы динамической памяти
